一項理論與實驗合作的研究，發現了二維結構中的新磁性能，這對自旋電子學新興領域研究具有令人興奮的潛力。自旋電子器件除了使用傳統電子器件的電荷外，還使用一種稱為自旋的量子特性。因此，自旋電子學有望實現具有顯著增強功能的超高速低能電子設備。rmit和新南威爾士大學的研究發現，在由數層新穎的二維材料組成，被稱為vdW異質結構的器件中，存在著從未見過的磁性能。
最新結果表明，與傳統的自旋電子學方法相比，vdW自旋電子學可以為器件提供更多的功能。進一步的研究可以產生具有重大工業應用價值的設備。二維(2-D)范德華(vdW)材料是新一代自旋電子器件的有效組成部分。當用非磁性vdW材料(如石墨烯和/或拓撲絕緣體)分層時，可以組裝vdW異質結構，以提供其他無法實現的器件結構和功能。科學家們研究了二維Fe3GeTe2 (FGT)，在之前的一項研究中，發現這種金屬在自旋電子器件中具有很好的鐵磁性，在材料中發現了一種前所未見的巨磁電阻(GMR)模式。
不像傳統，已知的兩個GMR狀態(即高阻和低阻)發生在薄膜異質結構中，研究人員還測量了反對稱GMR與一個額外，不同的中間電阻狀態。這表明vdW鐵磁異質結構與類似結構表現出本質上不同的性質，這一令人驚訝的結果，與之前關于GMR的觀點相反。這表明vdW異質結構具有不同的物理機制，具有改進磁信息存儲的潛力。理論計算表明，這三種電阻水平是石墨/FGT界面自旋動量鎖定誘導自旋極化電流的結果。